ドイツ・CCR社製 大型基板用PECVD「COPRA Linear Sources」

大型基板用 PECVDソース COPRA Linear Sources

特徴
-パワーレベルに比例したイオンエネルギーの上昇が無い為、基板ダメージが少ない
-適用真空範囲が、1x10-4から1x10-1 mbarと広い為、スパッタ装置との融合が行いやすい
-基板幅、3m級の大型基板への適用が可能な為、建築(Low-E)、FPD、太陽電池で採用多数
10nm/秒レベルまでの高速成膜が可能

成膜例:
SiO2
Si3N4
Al2O3
DLC (a-D:H)
a-Si, u-Si

適用例:
光学膜: 光学多層膜、スパッタリングや電子銃成膜のアシスト
太陽電池: 反射防止膜、保護膜、吸収層、バリヤ膜
ディスプレイ: OLED有機層封止膜、透明電極膜、透明保護膜
ハードディスク: TMRバリヤ、カーボン保護膜
半導体: ケミカルエッチング、物理的エッチング
大型基板: 機能性酸化膜、バリヤ膜
ハードコート及び装飾膜: DLC、酸化膜、窒化膜
パッケージング: ロールトゥーロールでのフィルム基板へのバリヤ膜

高いパワーを投入しても、イオンエネルギーが上昇しない為、基板へのダメージを最小限に抑える事が可能となります。