米国・SCI製 アンバランスド マグネットバー
品名：UBM-TRM-Type A 及び UBM-TRM-Type B
◯ 概要：
3列構造のスタンダードTRMバーの磁場形成を意図的にアンバランス（UBM : Unbalanced Magnetron）にしたモデルです。TRMバーのスパッタアングル±12度を維持しながら、より基板側にプラズマが広がるマグネットバーとなります。
磁場トラップされずに、より多くの電子が基板に向かう為、基板温度が上がり、成膜中のアニーリング効果を期待できます。磁場強度が、スタンダードTRMと同等なType Aと、より磁場強度をより強くしたType Bがございます。ITO成膜等において、抵抗値の低減を期待できます。
◯ UBM-TRM-Type A:
3列構造
ネオジウム磁石N52採用
416ステンレススチールシャント（磁場遮蔽板）使用
センター、両サイド共に大きな磁石を採用
スパッタアングル±12度
ナルポイント95.2㎜ （註）
最大水平磁場512G（直径152㎜時）
註：磁石表面起算、磁場トラップ効果がなくなる距離
◯ UBM-TRM-Type B:
3列構造
ネオジウム磁石N42採用
センター、両サイド共に大きな磁石を採用
スパッタアングル±12度
ナルポイント132㎜
最大水平磁場700G（直径152㎜時）
参考：
◯ TRM（スタンダード）
3列構造
ネオジウム磁石N42採用
センター1/2インチマグネット、両サイド3/8インチマグネット
スパッタアングル±12度
ナルポイント301㎜
最大水平磁場540G（直径152㎜時）
◯ より詳細な資料を以下よりダウンロード頂けます。
Unbalanced TRM Comsol Modeling
