SEM社製 Hf(ハフニウム|Hafnium)スパッタリングターゲット

米国・SCI Engineered Materials (SEM)社は、高品質な Hf (ハフニウム) スパッタリングターゲットを供給しております。

高誘電率(High‑K)絶縁膜向け Hf ターゲット

次世代のマイクロエレクトロニクス分野へ踏み出すために、SCI Engineered Materials社の高純度ハフニウム(Hf)スパッタリングターゲットをご活用ください。ハフニウムは業界標準として認められており、低ジルコニウム含有のHf成膜材料として、高誘電率(High‑K)絶縁膜の形成に最適です。

これらのHigh‑K膜は、先端CMOSトランジスタにおいて消費電力の低減およびゲートリーク電流の抑制に不可欠です。

SCI Engineered Materials社は、純度99.99%まで対応可能な高密度ターゲットを提供しており、次世代の集積回路や高度なコーティング用途に求められる安定した成膜レート優れた膜品質を確実に実現します。

ターゲット単体でのご供給はもちろん、必要に応じ、バッキングプレートの作成並びにボンディングを実施した状態でのご提供も可能です。

以下はデータシートです。
Hafnium-Data-Sheet

以下は、参考の不純物分析シート(実績値)です。
Hf certs sample 26-0201

平面ターゲットのボンディングに関する合格・不合格の仕様は、ボンディング面積の95%以上正常にボンドされている事であり、かつ0.25インチを超えるボイドがないことです。SEM社は、これらの仕様を確実に満たすため、ボンディング済みのターゲットに対して超音波Cスキャンを実施しています。

もしもご興味、ご関心をいただける際は、何なりとお問い合わせください。