従来型のプレーナー（平面）カソードから、ロータリーカソードへ切り替える事により、以下の利点を期待できます。
・ターゲット使用効率の向上、最大85％以上
・スパッタレートの向上、最大3倍（対プレーナー比）
・ノジュール起因によるパーティクルの最小化
米国・SCI社は、様々なロータリーカソードを用意しておりますので、貴社の装置構成に応じて、最適なモデルをご選択いただけます。
| ドロップイン型 エンドブロック | |
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型式：SC （大型基板用） エンドブロック幅：204㎜ 対応ターゲット長さ：4000㎜まで 投入可能最大パワー： 200ｋW at DC/ 80kHz at MFAC TTS調整：スペーサーを挟むことにより可能 アウトボードサポートブロック：含む 専用モーター及び専用ベルト：含む 水平・垂直搭載：両方可能 マグネット角度：15度刻みで調整可能 |
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型式：MC-D （中型基板用） エンドブロック幅：160㎜ 対応ターゲット長さ：2500㎜まで 投入可能最大パワー： 100ｋW at DC/ 80kHz at MFAC TTS調整：スペーサーを挟むことにより可能 アウトボードサポートブロック：含む 専用モーター及び専用ベルト：含む 水平・垂直搭載：両方可能 マグネット角度：360度無段階で調整可能 |
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型式：TC （小型基板用） エンドブロック幅：58㎜ 対応ターゲット長さ：1500㎜まで 投入可能最大パワー： 40ｋW at DC/ 80kHz at MFAC TTS調整：スペーサーを挟むことにより可能 アウトボードサポートブロック：両持ちタイプ 専用モーター及び専用ベルト：含む 水平・垂直搭載：両方可能 マグネット角度：360度自由に調整可能 詳細：TCエンドブロックについて |
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型式：Compact-MC （cMC 中型基板用） エンドブロック幅：125㎜ 対応ターゲット長さ：2500㎜まで 投入可能最大パワー： 100ｋW at DC/ 80kHz at MFAC TTS調整：スペーサーを挟むことにより可能 アウトボードサポートブロック：含む 専用モーター及び専用ベルト：含む 水平・垂直搭載：両方可能 マグネット角度：360度10度刻みで調整可能 詳細：cMCエンドブロックについて |
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● ドロップイン型スイングカソード 型式：MCS （MC-Swing 中型基板用） エンドブロック幅：211㎜ 対応ターゲット長さ：2500㎜まで 投入可能最大パワー：100ｋW at DC/ 80kHz at MFAC TTS調整：スペーサーを挟むことにより可能 アウトボードサポートブロック：含む 専用モーター及び専用ベルト：含む 水平・垂直搭載：両方可能 マグネット角度：オペレーション中にスイング可能 詳細： ドロップイン型MCSカソードについて
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● 小径ターゲット用ドロップイン型カソード 型式：CC80 （内径80㎜ターゲット用） エンドブロック幅：122㎜ 対応ターゲット長さ：1000㎜まで 投入可能最大パワー：20ｋW at DC/MFAC TTS調整：スペーサーを挟むことにより可能 アウトボードサポートブロック：含む 専用モーター及び専用ベルト：含む 水平・垂直搭載：両方可能 マグネット角度：調整可能 詳細：小径ターゲット用CC80について
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● 全方位成膜用 特殊ロータリカソード 型式：IM （外周360度成膜用特殊カソード） 対応ターゲット長さ：2000㎜まで 投入可能最大パワー：60ｋW at DCもしくはMFAC 水平・垂直搭載：両方可能 マグネット角度：ターゲットは回転せず、マグネットバーのみ360度回転しながら成膜する。 搭載ターゲット：内径125㎜、内径80㎜、両方可能 詳細：IMについて |
サイドマウント型 エンドブロック |
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型式：SM （大型基板用） 対応ターゲット長さ：4000㎜まで 投入可能最大パワー： 200ｋW at DC/ 80kHz at MFAC 完全片持ち：1500㎜で140㎏以下まで可能 専用モーター及び専用ベルト：含む 水平・垂直搭載：両方可能 マグネット角度：360度自由に調整可能 |
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型式：MM （中型基板用） 対応ターゲット長さ：2500㎜まで 投入可能最大パワー： 100ｋW at DC/ 80kHz at MFAC 完全片持ち：1000㎜で140㎏以下まで可能 専用モーター及び専用ベルト：含む 水平・垂直搭載：両方可能 マグネット角度：360度自由に調整可能 |
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型式：CM （小型基板用） 対応ターゲット長さ：1000㎜まで 投入可能最大パワー： 20ｋW at DC/ 80kHz at MFAC 完全片持ち：750㎜で45㎏以下まで可能 専用モーター及び専用ベルト：含む 水平・垂直搭載：両方可能 マグネット角度：360度自由に調整可能 特記事項：ターゲットフランジを付け替え る事によって、内径80㎜の小径ターゲット と内径125㎜の標準内径ターゲットの両方 を搭載可能 詳細：小径用CM80について |
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型式：Swing Cathode （静止基板用） 対応ターゲット長さ：4000㎜まで 投入可能最大パワー： 200ｋW at DC/ 80kHz at MFAC 専用モーター及び専用ベルト：含む 水平・垂直搭載：両方可能 特記事項：内部のマグネットバーが 首ふり扇風機のように左右に揺動する。 このカソードを複数本並べる事によって、 静止した基板に対し、±１％以下の 分布と、ロータリーカソードの利点 である使用効率70％以上を同時に実現 詳細：スイングカソードについて |
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●RF電源用特殊ロータリーカソード 品名：Rotary RF 特徴 -.円筒セラミックターゲット等、非導電性ターゲットの成膜コスト低減 -.DC電源とRF電源を重畳させる事による、ITO等の透明導電膜の低抵抗化 -.RF電源による損傷を回避した特殊ドライブ機構 -.RF電源特有のスキンエフェクトに対する分布悪化を補う特殊機構 -.650㎜長のターゲットで、DC電源に匹敵する±2％以下の膜厚分布 註：ターゲットが長くなればなるほど、分布が低下する可能性がございます。 詳細：ロータリーカソードでのRF電源適用について |
マグネットバー |
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型式：TRMバー （標準磁場） 構造：3連 磁力：582ガウス at 外径150㎜ 磁場調整ネジ：＋2㎜－7㎜ ネジ位置：約300㎜毎 隣接ネジ許容高低差：最大3mm 最大使用可能ターゲット：外径160㎜ スパッタアングル：±12度 公称分布：±2%以下 公称ターゲット使用効率：70％以上 |
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型式：mQRMバー （中間磁場） 構造：4連 磁力：764ガウス at 外径150㎜ 磁場調整ネジ：＋2㎜－8㎜ ネジ位置：約300㎜毎 隣接ネジ許容高低差：最大2mm 最大使用可能ターゲット：外径170㎜ スパッタアングル：±15度 公称分布：±2%以下 公称ターゲット使用効率：85％以上 |
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型式：QRMバー （強磁場） 構造：4連 磁力：1,056ガウス at 外径150㎜ 磁場調整ネジ：＋2㎜－7㎜ ネジ位置：約300㎜毎 隣接ネジ許容高低差：最大2mm 最大使用可能ターゲット：外径180㎜ スパッタアングル：±21度 公称分布：±2%以下 公称ターゲット使用効率：85％以上 |
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型式：RAMバー （遠隔制御式バー） 構造：上記すべてのマグネットを搭載可能 磁場調整ネジ稼働範囲：20㎜ 調整精度：±50um ネジ位置：約300㎜毎 公称分布：1%以下 at 3m幅基板 特記：モーターと電池を内蔵。チャンバー外部 より、光ファイバーを通じて各ポジションの調整 ネジを制御。それにより、マグネットとターゲッ トの距離を±50umの精度で調整。また光信号で 制御する為、スパッタプロセス中にコントロール 可能。究極の分布調整が可能となる。 詳細：RAMバーについて |
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品名：Ni 等強磁性体専用強磁場マグネットバー 型式： ARM-Bar 特徴 -.ニッケル等、強磁性体円筒ターゲットに利用可能 -.安全に円筒ターゲットに挿入可能な特殊機構（特許） -.強磁場を使用している為、長時間の連続成膜が可能 -.溶射ニッケル、一体物ニッケル、いずれも使用可能 -.溶射Niターゲットで5㎜厚相当（直径143㎜）で、ターゲット表面磁場500ガウス以上 -.正確にターゲット-マグネット間距離を維持する特殊機構 -.電磁波シールド、ハードディスク等のアプリケーションに最適 詳細： ARMバーについて |
ガスバー |
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品名：バイナリ―ガスバー 型式：BGMA ガス分布：±1.2％以下 特徴：一つのインレットから1/2その1/2と分岐 し、すべてのアウトレットから均一にガスを噴出 する。リアクティブ用分割ガスは、Ar用一体もの ガスの背面に設置され、ガスカバーによって混合 されてチャンバー内に噴出する。 適用：PEM等のクローズドループを組む場合や、 チャンバー内が均一に排気されている場合に勧める。 欠点：各アウトレット事のガス調整ができない。 |
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品名：スクウェアチューブガスバー 型式：SGMA 特徴：各アウトレットのビスの長さを変えること によって、ガス噴出量を調整できる。 リアクティブ用分割ガスは、Ar用一体ものガスの 上面に設置される。 適用：チャンバー内が均一に排気されていない 場合に勧める。 欠点：一旦チューブ内にガスをため込むため、 反応が１テンポ遅れる。その為、クローズド ループ制御には向かない。 |
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品名：Tガスバー 型式：TGMA 特徴：1500㎜以下で、チャンバー内に十分な 空間がない場合に勧める小型ガスバー。 |
完成モジュール e-Cathode |
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eカソード アナログ 特徴：上記エンドブロックをエンドユーザー 向けにユニット化したカソード。客先で、 ユーティリティーを接続すれば、すぐに 成膜可能となる。 以下を内蔵： リレー、インターロック、 冷却水流量スイッチ、他 制御方法：ローカル（制御スイッチ、ランプ等） 遠隔（それぞれ独立したI/O） |
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eカソード デジタル 特徴：上記エンドブロックをエンドユーザー 向けにユニット化したカソード。客先で、 ユーティリティーを接続すれば、すぐに 成膜可能となる。 以下を内蔵： タッチパネル式PLC、インターロック、 冷却水流量モニター、冷却水温度モニター ターゲット回転スピードモニター、等 制御方法：ローカル(タッチパネル) 遠隔 (イーサーネット, プロフィバス, 等 ) |
その他 |
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デュアルマグネトロンプラズマトリートメントソース 型式：DMPTS 使用電極：Ti 他 最大パワー：5kW/m 通常時パワー：2-4kW/m 稼働圧力：2 40mTorr PET 表面エネルギー at 6.7m/min：> 65dynes 特徴：ドーナツ型の電極が上下重なる構造をしており、 MFACもしくは、バイポーラパルスドDCの電源を用い、 内部の空間にプラズマを充填させ、スリットから漏れ たプラズマで優しく基板をたたく。 適用：PET、ポリエチレン、ポリカーボネート等の 樹脂フィルムや樹脂基板 |
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デュアルマグネトロンCVDソース 型式：DMCVD 使用電極：Ti 他 最大パワー：20kW/m 通常時パワー：10kW/m 稼働圧力：3-15mTorr SiO2成膜レート：>200nm.m/min PET 表面エネルギー at 6.7m/min：> 65dynes 特徴：上記DMPTSのサイドにモノマーガスの同入管を設置したCVDソース SiO2成膜の場合： HMDSOを使用 400 nm m/minレベルの成膜レート +/-3%以下の分布 1.46-1.47の光屈折率 電極からのコンタミが少ない |
