米国・SEM社製 単結晶基板
◯ 用途:エピタキシャル成長、薄膜試作、結晶格子構造の研究
◯ 概要:
米国・SCI Engineered Materials社(以降SEM社)は、高品質な薄膜成形に寄与する様々な単結晶基板を、様々なサイズにてご提供致します。仮に以下リスト以外の基板をお入用の場合でも、どうぞお気軽にご相談頂けましたら幸いです。
これら単結晶基板の典型的な使用例は、CVDやE-Beamの工程を用いた、エピタキシャル成長や薄膜試作や結晶格子構造の研究です。
基板上に成形した薄膜のみを利用する場合もあれば、基板と共にある特殊な部品要素として利用する場合もございます。
単結晶基板は、単結晶材料を成長させるのに非常に重要な役割を果たします。その表面に成膜された薄膜は、類似の結晶構造を維持しようする為です。基板は、その結晶構造と共に、高い表面の平滑性が重要となります。
◯ ご提供可能な基板:
| Al2O3(sapphire) | LSAT |
| BaF2 | MgAl2O4 (spinel) |
| BaTiO3 | MgF2 |
| CaCO3 (Calcite) | MgO |
| CaF2 | NaCl |
| CdZnTe | NdCaAlO4 |
| GaAs ((Si) doped) | NdGaO3 |
| GaAs (undoped) | NYAB |
| GaAs ((Zn) doped) | PMNT |
| GaP ((S) doped) | Si (undoped) |
| GaP (undoped) | Si ((B) doped) P-type |
| GaSb (High r) | Si ((P) doped) N-type |
| GaSb ((Te) doped) | SiC (6H) |
| GaSb undoped | SiO2 (quartz) |
| GaSb ((Zn) doped) | SrLaAlO4 |
| Ge undoped | SrLaGaO4 |
| Ge ((B) doped) P-type | SrTiO3 |
| Ge ((Sb) doped) N-type | SrTiO3 w/ Nb doping 0.4 wt% |
| GGG | SrTiO3 w/ Nb doping 0.7 wt% |
| InAs (undoped) | SrTiO3 w/ Nb doping 1 wt% |
| InP ((Fe) doped) | TeO2 |
| InP (undoped) | TiO2 |
| InP ((Zn) doped) | YAG |
| KTaO3 | YAlO3 |
| LaAlO3 | YSZ (Y: ZrO2) |
| LaF3 | YVO4 |
| LiF | ZnO |
| LiNbO3 Optical Grade or Saw Grade | |
| LiTaO3 Optical Grade or Saw Grade |


