SCI製ロータリーカソード

ドロップイン型 エンドブロック 
SCエンドブロック 型式:SC (大型基板用)
エンドブロック幅:204㎜
対応ターゲット長さ:4000㎜まで
投入可能最大パワー:
200kW at DC/ 80kHz at MFAC
TTS調整:スペーサーを挟むことにより可能
アウトボードサポートブロック:含む
専用モーター及び専用ベルト:含む
水平・垂直搭載:両方可能
マグネット角度:15度刻みで調整可能
 

MCDエンドブロック 型式:MC-D (中型基板用)
エンドブロック幅:160㎜
対応ターゲット長さ:2500㎜まで
投入可能最大パワー:
100kW at DC/ 80kHz at MFAC
TTS調整:スペーサーを挟むことにより可能
アウトボードサポートブロック:含む
専用モーター及び専用ベルト:含む
水平・垂直搭載:両方可能
マグネット角度:360度無段階で調整可能

temp_file_TC_No_Background1 型式:TC (小型基板用)
エンドブロック幅:58㎜
対応ターゲット長さ:1500㎜まで
投入可能最大パワー:
40kW at DC/ 80kHz at MFAC
TTS調整:スペーサーを挟むことにより可能
アウトボードサポートブロック:両持ちタイプ
専用モーター及び専用ベルト:含む
水平・垂直搭載:両方可能
マグネット角度:360度自由に調整可能

型式:Compact-MC (cMC 中型基板用)
エンドブロック幅:125㎜
対応ターゲット長さ:2500㎜まで
投入可能最大パワー:
100kW at DC/ 80kHz at MFAC
TTS調整:スペーサーを挟むことにより可能
アウトボードサポートブロック:含む
専用モーター及び専用ベルト:含む
水平・垂直搭載:両方可能
マグネット角度:360度10度刻みで調整可能

サイドマウント型 エンドブロック 

 SM_with_Background 型式:SM (大型基板用)
対応ターゲット長さ:4000㎜まで
投入可能最大パワー:
200kW at DC/ 80kHz at MFAC
完全片持ち:1500㎜で140㎏以下まで可能
専用モーター及び専用ベルト:含む
水平・垂直搭載:両方可能
マグネット角度:360度自由に調整可能

 MM_with_Background_and_2_yr_logo 型式:MM (中型基板用)
対応ターゲット長さ:2500㎜まで
投入可能最大パワー:
100kW at DC/ 80kHz at MFAC
完全片持ち:1000㎜で140㎏以下まで可能
専用モーター及び専用ベルト:含む
水平・垂直搭載:両方可能
マグネット角度:360度自由に調整可能

 CM_For_Mrktg_Materials 型式:CM (小型基板用)
対応ターゲット長さ:1000㎜まで
投入可能最大パワー:
20kW at DC/ 80kHz at MFAC
完全片持ち:750㎜で45㎏以下まで可能
専用モーター及び専用ベルト:含む
水平・垂直搭載:両方可能
マグネット角度:360度自由に調整可能
特記事項:ターゲットフランジを付け替え
る事によって、内径80㎜の小径ターゲット
と内径125㎜の標準内径ターゲットの両方
を搭載可能

スイングカソード 型式:Swing Cathode (静止基板用)
対応ターゲット長さ:4000㎜まで
投入可能最大パワー:
200kW at DC/ 80kHz at MFAC
専用モーター及び専用ベルト:含む
水平・垂直搭載:両方可能
特記事項:内部のマグネットバーが
首ふり扇風機のように左右に揺動する。
このカソードを複数本並べる事によって、
静止した基板に対し、±1%以下の
分布と、ロータリーカソードの利点
である使用効率70%以上を同時に実現
 

●RF電源用特殊ロータリーカソード
品名:Rotary RF
特徴
-.円筒セラミックターゲット等、非導電性ターゲットの成膜コスト低減
-.DC電源とRF電源を重畳させる事による、ITO等の透明導電膜の低抵抗化
-.RF電源による損傷を回避した特殊ドライブ機構
-.RF電源特有のスキンエフェクトに対する分布悪化を補う特殊機構
-.650㎜長のターゲットで、DC電源に匹敵する±2%以下の膜厚分布
註:ターゲットが長くなればなるほど、分布が低下する可能性がございます。

マグネットバー

 TRMバー 型式:TRMバー (標準磁場)
構造:3連
磁力:582ガウス at 外径150㎜
磁場調整ネジ:+2㎜〜-7㎜
ネジ位置:約300㎜毎
隣接ネジ許容高低差:最大3mm
最大使用可能ターゲット:外径160㎜
スパッタアングル:±12度
公称分布:±2%以下
公称ターゲット使用効率:70%以上

 mQRMバー 型式:mQRMバー (中間磁場)
構造:4連
磁力:764ガウス at 外径150㎜
磁場調整ネジ:+2㎜〜-8㎜
ネジ位置:約300㎜毎
隣接ネジ許容高低差:最大2mm
最大使用可能ターゲット:外径170㎜
スパッタアングル:±15度
公称分布:±2%以下
公称ターゲット使用効率:85%以上

 QRMバー 型式:QRMバー (強磁場)
構造:4連
磁力:1,056ガウス at 外径150㎜
磁場調整ネジ:+2㎜〜-7㎜
ネジ位置:約300㎜毎
隣接ネジ許容高低差:最大2mm
最大使用可能ターゲット:外径180㎜
スパッタアングル:±21度
公称分布:±2%以下
公称ターゲット使用効率:85%以上

 RAMバー 型式:RAMバー (遠隔制御式バー)
構造:上記すべてのマグネットを搭載可能
磁場調整ネジ稼働範囲:20㎜
調整精度:±50um
ネジ位置:約300㎜毎
公称分布:1%以下 at 3m幅基板
特記:モーターと電池を内蔵。チャンバー外部
より、光ファイバーを通じて各ポジションの調整
ネジを制御。それにより、マグネットとターゲッ
トの距離を±50umの精度で調整。また光信号で
制御する為、スパッタプロセス中にコントロール
可能。究極の分布調整が可能となる。

品名:Ni 等強磁性体専用強磁場マグネットバー
型式:QRM-Bar for Ni
特徴
-.ニッケル等、強磁性体円筒ターゲットに利用可能
-.安全に円筒ターゲットに挿入可能な特殊機構(特許)
-.強磁場を使用している為、長時間の連続成膜が可能
-.溶射ニッケル、一体物ニッケル、いずれも使用可能
-.溶射Niターゲットで5㎜厚相当(直径143㎜)で、ターゲット表面磁場500ガウス以上
-.正確にターゲット-マグネット間距離を維持する特殊機構
-.電磁波シールド、ハードディスク等のアプリケーションに最適

ガスバー

 BGMA 品名:バイナリ―ガスバー
型式:BGMA
ガス分布:±1.2%以下
特徴:一つのインレットから1/2その1/2と分岐
し、すべてのアウトレットから均一にガスを噴出
する。リアクティブ用分割ガスは、Ar用一体もの
ガスの背面に設置され、ガスカバーによって混合
されてチャンバー内に噴出する。
適用:PEM等のクローズドループを組む場合や、
チャンバー内が均一に排気されている場合に勧める。
欠点:各アウトレット事のガス調整ができない。

 SGMA 品名:スクウェアチューブガスバー
型式:SGMA
特徴:各アウトレットのビスの長さを変えること
によって、ガス噴出量を調整できる。
リアクティブ用分割ガスは、Ar用一体ものガスの
上面に設置される。
適用:チャンバー内が均一に排気されていない
場合に勧める。
欠点:一旦チューブ内にガスをため込むため、
反応が1テンポ遅れる。その為、クローズド
ループ制御には向かない。

 TGMA 品名:Tガスバー
型式:TGMA
特徴:1500㎜以下で、チャンバー内に十分な
空間がない場合に勧める小型ガスバー。

完成モジュール e-Cathode

temp_file_BOC_Analog_Clone1 eカソード アナログ
特徴:上記エンドブロックをエンドユーザー
向けにユニット化したカソード。客先で、
ユーティリティーを接続すれば、すぐに
成膜可能となる。
以下を内蔵:
リレー、インターロック、
冷却水流量スイッチ、他
制御方法:ローカル(制御スイッチ、ランプ等)
遠隔(それぞれ独立した I/O)

eカソードデジタル eカソード デジタル
特徴:上記エンドブロックをエンドユーザー
向けにユニット化したカソード。客先で、
ユーティリティーを接続すれば、すぐに
成膜可能となる。
以下を内蔵:
タッチパネル式PLC、インターロック、
冷却水流量モニター、冷却水温度モニター
ターゲット回転スピードモニター、等
制御方法:ローカル (タッチパネル)
遠隔 (イーサーネット, プロフィバス, 等 )
 

その他

 D2+_Source_for_Marketing_-_Lighter2 デュアルマグネトロンプラズマトリートメントソース
型式:DMPTS
使用電極:Ti 他
最大パワー:5kW/m
通常時パワー:2-4kW/m
稼働圧力:2 – 40mTorr
PET 表面エネルギー at 6.7m/min:> 65dynes
特徴:ドーナツ型の電極が上下重なる構造をしており、
MFACもしくは、バイポーラパルスドDCの電源を用い、
内部の空間にプラズマを充填させ、スリットから漏れ
たプラズマで優しく基板をたたく。
適用:PET、ポリエチレン、ポリカーボネート等の
樹脂フィルムや樹脂基板

 DMCVD デュアルマグネトロンCVDソース
型式:DMCVD
使用電極:Ti 他
最大パワー:20kW/m
通常時パワー:10kW/m
稼働圧力:3-15mTorr
SiO2成膜レート:>200nm.m/min
PET 表面エネルギー at 6.7m/min:> 65dynes
特徴:上記DMPTSのサイドにモノマーガスの同入管を設置したCVDソース
SiO2成膜の場合:
•HMDSOを使用
•400 nm m/minレベルの成膜レート
•+/-3%以下の分布
•1.46-1.47の光屈折率
•電極からのコンタミが少ない